Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon
Інший ID:
PACS 72.80.Ng, s5.11
Посилання:
Varistor-like current-voltage characteristic of porous silicon / O.V. Vakulenko, S.V. Kondratenko, B.M. Shutov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 88-89. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
700
Завантажень:
316
Анотація:
The porous silicon (PS) current-voltage characteristic (CVC) has measured in transverse and longitudinal applied electric field. The obtained CVC has a varistor-like shape. Besides the practical application this confirms the PS grain structure whose influence is discussed in analizing the mechanism of the visible luminescence in PS.
