Electronic structure of mixed valent systems

Abstract

The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties.

Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей.