Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Thermodynamic analysis of processes creating the defects in cadmium telluride crystals under conditions of high-temperature annealing
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, том 12
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Thermodynamic analysis of processes creating the defects in cadmium telluride crystals under conditions of high-temperature annealing
Інший ID:
PACS 61.72.Bb, Ji, -y
Посилання:
Thermodynamic analysis of processes creating
the defects in cadmium telluride crystals under conditions
of high-temperature annealing / V.V. Prokopiv, P.M. Fochuk, I.V. Gorichok, E.V. Vergak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 412-416. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
Дата:
2009
Переглядів:
628
Завантажень:
322
Анотація:
The defective structure of specifically undoped cadmium telluride crystals was
researched using the theory of thermodynamic potentials. The calculated concentration of
point defects and free charge carriers in the CdTe crystals, depending on technological
factors of two-temperature annealing (annealing temperature T and partial pressure of
cadmium PCd vapor). The dominant types of defects that determine the basic properties
of the material n- and p-type conduction were determined.
