Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, том 15
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
УДК:
PACS 71.20.Nr, 72.15.Cz, 72.20.Jv, 72.80.Jc
Посилання:
X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals / S.N. Mustafaeva, M.M. Asadov, D.T. Guseinov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 4. — С. 358-359. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
Дата:
2012
Переглядів:
824
Завантажень:
344
Анотація:
Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa₂S₄ and
CdGa₂S₄<Cu> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the
crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics Ir ~ E
tend to linearity (α = 1) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, α tends to 0.5,
which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated
by X-rays in CdGa₂S₄<Cu>.
