Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, том 17
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
Інший ID:
PACS 78.55.Cr, 71.55.Eq
Посилання:
Influence of weak magnetic fields treatment
on photoluminescence of GaAs / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 272-274. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.
Дата:
2014
Переглядів:
679
Завантажень:
373
Анотація:
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals
treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were
performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, τ = 1.2 ms, t = 5 min) regime. The
defect structure transformations were inferred from the radiative recombination spectra
within the range 0.6 to 2.5 μm at 300 and 77 K. A possible mechanism of the observed
modifications related with electron-spin transformation is discussed.
