Показати простий запис статті

dc.contributor.author Venger, E.F.
dc.contributor.author Ievtushenko, A.I.
dc.contributor.author Melnichuk, L.Yu.
dc.contributor.author Melnichuk, O.V.
dc.date.accessioned 2017-05-30T06:48:42Z
dc.date.available 2017-05-30T06:48:42Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Effect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO / E.F. Venger, A.I. Ievtushenko, L.Yu. Melnichuk, O.V. Melnichuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 314-320. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 71.36.+c, 73.20.Mf
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118392
dc.description.abstract Using the attenuated total reflectance technique, we studied the effect of strong uniform magnetic field H on the main properties of surface polaritons in ZnO single crystals. The used orientations were C || y , k ⊥ C , xy || C , H ⊥k , H || y , k x =k , ky,z =0; the free charge carrier concentration varied from 9.3×10¹⁶ up to 2.0 × 10¹⁸ cm⁻³. It has been shown that three dispersion curves exist in the zinc oxide single crystals for the above orientation. The possibility of excitation of an additional dispersion branch in optically anisotropic semiconductors placed into magnetic field is found using ZnO single crystals as an example. The damping coefficients for surface phonon and plasmon-phonon polaritons have been determined. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Effect of strong magnetic field on surface polaritons in ZnO uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис