Специальный выпуск
XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

ЗМІСТ

Окулов В.И.
XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников

Кульбачинский В.А.
Электронные свойства и сверхпроводимость низкоразмерных углеродных структур

Ляпилин И.И., Патраков А.Е.
Проводимость двумерного электронного газа в магнитном поле в присутствии микроволнового излучения[Стаття відсутня]

Gaj J.A., Kossacki P., Plochocka P., Maslana W., Cibert J., Tatarenko S., Radzewicz C.
Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well

Якунин М.В., Альшанский Г.А., Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Кузнецов О.А., де Виссер А., Пономаренко Л.
Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge_1-xSi_x/Ge/Ge_1-xSi_x с помощью гальваномагнитных эффектов

Sheregii E.M., Ploch D., Marchewka M., Tomaka G., Kolek A., Stadler A., Mleczko K., Strupinski W., Jasik A., Jakiela R.
Parallel magnetotransport in multiple quantum well structures

Арапов Ю.Г., Неверов В.Н., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г., Якунин М.В., Кузнецов О.А., Пономаренко Л., де Виссер А.
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge_1-xSi_x в области перехода металл–диэлектрик

Альшанский Г.А., Якунин М.В.
Образование двойной квантовой ямы в самосогласованной широкой квантовой яме p-типа

Патраков А.Е., Ляпилин И.И.
Осцилляции проводимости двумерного электронного газа в присутствии микроволнового излучения

Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Пчеляков О.П., Тийс С.А., Якимов А.И.
Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

Пономарев А.И., Чарикова Т.Б., Игнатенков А.Н., Ташлыков А.О., Иванов А.А.
О природе анизотропии сопротивления монокристаллов Nd_2-xCe_xCuO_4+d с разным содержанием церия и кислорода

Godlewski M., Surma M., Ivanov V.Yu., Surkova T.P.
Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe

Окулов В.И.
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

Несмелова И.М., Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Петухов В.Ю.
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg_1-xMn_xTe

Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р., Штанов В.И.
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)

Гудков В.В., Лончаков А.Т., Жевстовских И.В., Соколов В.И., Груздев Н.Б., Петров С.Б.
Ультразвуковые исследования фазового перехода в ZnSe:Ni

Тихомирова Г.В., Бабушкин А.Н.
Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония

Robouch B.V., Sheregii E.M., Kisiel A.
Statistical strained-tetrahedron model of local ternary zinc blende crystal structures

Чукалина М.В., Функе Х., Дубровский Ю.В.
Вэйвлет анализ и его применение в туннельной и рентгеновской спектроскопии