Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

Арапов, Ю.Г. ; Неверов, В.Н. ; Харус, Г.И. ; Шелушинина, Н.Г. ; Якунин, М.В. ; Кузнецов, О.А. ; Пономаренко, Л. ; де Виссер, А.

Інші назви: Nonmonotonic temperature dependence of p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructure resistance at insulator–metal transition

Тема: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы

Інший ID: PACS: 71.30.+h, 73.21.Ac

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120166

Посилання: Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик / Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин, О.А. Кузнецов, Л. Пономаренко, А. де Виссер // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1157–1161. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Підтримка: Авторы благодарят В.И. Окулова и С.Г. Новокшонова за обсуждение полученных результатов. Работа поддержана РФФИ, гранты №02-02-16401, 04-02-16614, выполнена в рамках программы РАН «Низкоразмерные квантовые гетероструктуры», CRDF и Министерства образования РФ, грант Y1-P-05-14 (Ek-005 [X1]), грант УрО РАН для молодых ученых.

Дата: 2004

Завантажень: 258

Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

Анотація:

В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) к «металлическому» (dσ/dT < 0) поведению в качественном соответствии с предсказаниями теории Финкельнштейна. В перпендикулярном к плоскости 2D-слоя магнитном поле В наблюдается положительное магнитосопротивление (ПМС), зависящее лишь от отношения B/T. Мы связываем эффект ПМС с подавлением триплетного канала фермижидкостного электрон-электронного взаимодействия магнитным полем вследствие сильного зеемановского расщепления уровней энергии дырок.

У двовимірній (2D) діркової системі (багатошарові гетероструктури p-Ge/Ge₁₋xSix) із провідністю σ ≈ e²/h при низьких температурах (T ≈1,5 К) при зниженні температури спостер ігається перехід від діелектричного (dσ/dT > 0) до «металевого» (dσ/dT < 0) поводженню в якісній відповідності із завбаченнями теорії Финкельнштейна. У перпендикулярному до площини 2D-шарa магнітному полі В спостерігається позитивний магнитоопір (ПМО), що залежить лише від відношення B/T. Ми зв’язуємо ефект ПМО із подавленням триплетного каналу фермірідинної електрон-електронної взаємодії магнітним полем унаслідок сильного зеєманівського розщеплення рівнів енергії дірок.

A two-dimensional (2D) hole system (multilayer p-Ge/Ge₁₋xSix heterostructures) of conductivity σ ≈ e²/h displays a transition from dielectric (dσ/dT > 0) to metallic (dσ/dT < 0) behavior at low temperatures (T ≈ 1,5 Ê), in qualitative agreement with the Finkelshtein theory. For magnetic field B perpendicular to the 2D plane a positive magnetoresistance (PMR) depending only on ratio B/T is observed. The PMR effect is supposed to be due to the suppression of the triplet channel of Fermi-liqued electron- electron interaction by magnetic field because of the high Zeeman splitting in the hole spectrum.

Показати повний запис статті