Исследована температурная зависимость поверхностного сопротивления RS(T) высококачественной
эпитаксиальной пленки YBa₂Cu₃O₇₋σ толщиной 600 нм, нанесенной на монокристаллическую подложку
MgO. Измерения проведены в интервале температур от Tc до 2 К с применением новой техники — с
использованием сапфирового полусферического резонатора с волнами шепчущей галереи в 8-миллиметровом
диапазоне волн (Ka-band). Развитая техника измерений позволяет при низких температурах достичь
высокой чувствительности измерений RS(T) (до 10 мкОм). Получена линейная зависимость RS(T) в
интервале температур 2 15К, которая согласуется с представлениями о d-волновой симметрии параметра
порядка. Найденное в работе значение остаточного сопротивления Rres =RS(T→0) показывает, что
пленка по микроволновым свойствам близка к монокристаллам и Rres, по-видимому, определяется внутренними
свойствами сверхпроводника. Из анализа опубликованных данных следует, что Rres(ω) ~ ω³/²
для монокристаллов и пленок YBa₂Cu₃O₇₋σ, при этом природа остаточного микроволнового сопротивления
остается невыясненной.
Досліджено температурну залежність поверхневого опору RS (T) високоякісної епітаксіальної
плівки YBa₂Cu₃O₇₋σ товщиною 600 нм, яку нанесено на монокристалічну підкладку MgO. Вимірювання
проведено в інтервалі температур від Tc до 2 К із застосуванням нової техніки — з використанням
сапфірового напівсферичного резонатора з хвилями типу шепочучої галереї у 8-міліметровому діапазон
і хвиль (Ka-band). Техніка вимірювання, яку розвинуто, дозволяє при низьких температурах досягнути
высокої чутливості вимірювання RS(T) (до 10 мкОм). Отримано лінійну залежність RS(T) в інтервал
і температур 2–15 К, яка узгоджується з уявленнями про d-хвильову симетрію параметра порядку.
Знайдене у роботі значення залишкового опору Rres=RS(T→0) показує, що плівка за мікрохвильовими
властивостями близька до монокристалів і Rres, очевидно, визначається внутрішніми властивостями
надпровідника. Із аналізу опублікованих даних випливає, що Rres(ω) ~ ω³/² для монокристалів і плівок
YBa₂Cu₃O₇₋σ , при цьому природа залишкового мікрохвильового опору залишається нез’ясованою.
The temperature dependence of surface resistance
RS(T) of a high-quality epitaxial YBa₂Cu₃O₇₋σ film
of 600 nm sputtered onto a single crystal MgO substrate
has been measured. The measurements were
carried out in the temperature interval from Tc to 2 K
by means of a new technique, namely, using a sapphire
hemispherical resonator excited with whispering
gallery modes in the Ka-band. This technique
allows one to achieve high sensitivity of RS(T)
measurement, up to 10 &, at low temperatures. A
linear dependence was obtained in a temperature interval
of 2–15 K, in agreement with the idea of
d-wave symmetry of order parameter. The value of
Rres=RS(T→0) found in the work shows that the
film properties are similar to those of single crystals,
and if seems that Rres is determined by intrinsic properties
of a superconductor. Analysis of the data published
results in Rres(ω) ~ ω³/² for YBa₂Cu₃O₇₋σ single
crystals and films, and at the same time the nature
of residual microwave resistance remains unclear.
