Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях
(4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) и эффект Шубникова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0,05–0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия.
Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик–металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставляется кинетика
изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в
Pb₁–yVyTe и сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обсуждаются возможные модели перестройки электронной структуры сплавов Pb₁–x–ySnxVyTe при легировании.
Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні властивості в слабких магнітних полях
(4,2 К ≤ T ≤ 300 К, B ≤ 0,07 Тл) та ефект Шубнікова–де Гааза (T = 4,2 К, B ≤ 7 Тл) в сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0,05–0,18), які синтезовано методом Бриджмена, при варіації концентрації домішки ванадію. Показано, що збільшення вмісту ванадію призводить до появи областей з підвищеним вмістом ванадію і мікроскопічних включень з'єднань, які близькі за складом до V₃Te₄. В Pb₁–yVyTe виявлено стабілізацію рівня Фермі глибоким рівнем ванадію, перехід діелектрик–метал та збільшення концентрації вільних
електронів із зростанням вмісту ванадію. Зіставляється кінетика зміни концентрації вільних носіїв заряду
при збільшенні концентрації домішки ванадію в Pb₁–yVyTe та сплавах Pb₁–x–ySnxVyTe (x = 0,05–0,18). Обговорюються можливі моделі перебудови електронної структури сплавів Pb₁–x–ySnxVyTe при легуванні.
The crystal structure, composition, galvanomagnetic
properties in weak magnetic fields (4.2 K ≤ T ≤ 300 K,
B ≤ 0.07 T) and the Shubnikov–de Haas effect (T =
= 4.2 K, B ≤ 7 T) are studied for Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0, 0.05-0.18) alloys, synthesized by the Bridgman
technique, of vanadium impurity concentration being
varied. It is shown that an increase of vanadium impurity
content brings into existence the regions enriched with
vanadium and microscopic inclusions of compounds
with a composition close to V₃Te₄. In Pb₁–yVyTe a pinning
of the Fermi level by the vanadium deep level,
an insulator–metal transition and an increase of free
electron concentration with vanadium content are
found out. The kinetics of changes in free charge carrier
concentration with increasing vanadium impurity
concentration in Pb₁–yVyTe and Pb₁–x–ySnxVyTe
(x = 0.05–0.18) alloys is compared. Possible models
of electronic structure rearrangement under vanadium
doping for Pb₁–x–ySnxVyTe alloys are discussed.
