Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Bryksa, V.P. |
|
dc.contributor.author |
Tarasov, G.G. |
|
dc.contributor.author |
Masselink, W.T. |
|
dc.contributor.author |
Nolting, W. |
|
dc.contributor.author |
Mazur, Yu.I. |
|
dc.contributor.author |
Salamo, G.J. |
|
dc.date.accessioned |
2017-05-28T17:39:36Z |
|
dc.date.available |
2017-05-28T17:39:36Z |
|
dc.date.issued |
2004 |
|
dc.identifier.citation |
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors / V.P. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 1. — С. 43-51. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1560-8034 |
|
dc.identifier.other |
PACS: 72.15.Gd; 72.20.My; 73.61.Ga |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118113 |
|
dc.description.abstract |
Theoretical model has been developed for analysis of the peculiarities of new type of magnetism in diluted magnetic A₁₋xMnxB semiconductors. The coherent potential is introduced using the dynamic mean field theory (DMFT) approximation and the Baym- Kadanoff hypothesis valid for the case x < xc (xc is the percolation limit). |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|
dc.title |
Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті