Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, том 6
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2003, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon
Інший ID:
PACS: 72.80.Cw; 72.80.Ng; 72.40.+w; 73.40.Gk
Посилання:
Avalanche multiplication of charge carriers in nanostructured porous silicon / D.F. Timokhov, F.P. Timokhov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 3. — С. 307-310. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
Дата:
2003
Переглядів:
679
Завантажень:
506
Анотація:
The phenomenon of avalanche multiplication of charge carriers in Al/PS-(c-Si) sandwich-structures based on nanostructured porous silicon (PS) is studied. Experimentally received dependences of ionization rates on intensity of an electrical field correspond to the diffusion mechanism of electron-hole pairs heating up to a threshold of ionization. The distinction of effective factors of shock ionization for electrons and holes is unsignificant. The estimation of length of free run of hot electrons is carried out at scattering of energy on the optical phonons.
