Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties

Репозиторій DSpace/Manakin

Показати простий запис статті

dc.contributor.author Bilozertseva, V.I.
dc.contributor.author Khlyap, H.M.
dc.contributor.author Shkumbatyuk, P.S.
dc.contributor.author Dyakonenko, N.L.
dc.contributor.author Mamaluy, A.O.
dc.contributor.author Gaman, D.O.
dc.date.accessioned 2017-05-26T15:02:43Z
dc.date.available 2017-05-26T15:02:43Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties / V.I. Bilozertseva, H.M. Khlyap, P.S. Shkumbatyuk, N.L. Dyakonenko, A.O. Mamaluy, D.O. Gaman // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 1. — С. 61-64. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. uk_UA
dc.identifier.issn 1560-8034
dc.identifier.other PACS 61.46.-w, 73.63.-b
dc.identifier.uri http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117743
dc.description.abstract The results of structural investigations and electric field-induced properties of thin (40–100 nm) Li-Bi-Se films grown on glass substrates by means of the resistive evaporation technique are reported. The experimental investigations of microstructure and phase composition of thin films by transmission electron microscopy (TEM) and electron diffraction methods are carried out. Тhe experimental current-voltage dependences and transport of charge carriers are discussed. uk_UA
dc.language.iso en uk_UA
dc.publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України uk_UA
dc.relation.ispartof Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties uk_UA
dc.type Article uk_UA
dc.status published earlier uk_UA


Файли у цій статті

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Показати простий запис статті

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис