Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, том 16
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2013, № 1
→
Переглянути статтю

Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals

Korotchenkov, O.O. ; Steblenko, L.P. ; Podolyan, A.O. ; Kalinichenko, D.V. ; Tesel’ko, P.O. ; Kravchenko, V.M. ; Tkach, N.V.

Інший ID: PACS 61.72.-y, 68.43.-h, 72.40.+w, 76.60.-k, 81.40.Rs

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117665

Посилання: Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals / O.O. Korotchenkov, L.P. Steblenko, A.O. Podolyan, D.V. Kalinichenko, P.O. Tesel’ko, V.M. Kravchenko, N.V. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2013. — Т. 16, № 1. — С. 72-75. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Дата: 2013

Завантажень: 307

Magnetic field-stimulated change of photovoltage in solar silicon crystals

Анотація:

The effect of static magnetic field (B = 0.17 T) on composition of defects and lifetime of charge carriers in solar silicon crystals has been investigated. Studied in this work was the character of changes in electrical characteristic of solar silicon. These changes are dependent on the time elapsed after the magnetic treatment. The results have been discussed in terms of spin-dependent processes in the subsystem of structural defects.

Показати повний запис статті