Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паровой фазе. Показано, что при повышении температуры монотонное уменьшение подвижности, пропорциональное изменению концентрации гелиевого пара, сменяется резким падением, которое авторы связывают с возможным образованием поверхностного аниона - поляронного электронного образования в плотном гелиевом паре. Полученные результаты сопоставлены с результатами по подвижности двумерных и трехмерных систем электронов в гелиевом паре.
Наведено результати експериментального дослідження рухливості поверхневих електронів у рідкому гелії, що локалізовані у квазіодновимірних провідних каналах над профільованою підкладкою. Рухливість електронів вимірялася в області температур, яка відповідає розсіюванню частинок на атомах
гелію в паровій фазі. Показано, що при підвищенні температури монотонне зменшення рухливості, яке
пропорційне зміні концентрації гелієвого пару, змінюється різким падінням, яке автори зв’язують із
можливим формуванням поверхневого аніона — поляронного електронного утворення в щільному
гелієвому парі. Отримані результати зіставлено з результатами по рухливості двовимірних і тривимірних систем електронів у гелієвому парі.
The experimental data on mobility of surface
electrons over liquid helium, localized in quasione-dimensional
conducting channels over the profiled
substrate are consideted. The mobility is measured
in the temperature range of electron scattering
by helium atoms in a vapor phase. It is shown
that as the temperature is increase, the monotonous
decrease of mobility, proportional to helium vapor
concentration, changes to an abrupt one which is
attributed by the authors to a possible formation of
a surface anion–electron polaron state in dense helium
gas. The results obtained are compared with
those on mobility of two- and three-dimensional
electron systems in helium vapor.