Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Журнал физики и инженерии поверхности
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, № 3
→
Переглянути статтю

Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

Юлдашев, Х.Т. ; Хайдаров, З. ; Касымов, Ш.С.

Інші назви: Підсилювальні процеси в газорозрядній комірці, що складається з напівпровідника з плазмовими контактами
Amplification processes in discharge cell consisting of the semiconductor plasma clean contacts

УДК: 621.393.3: 621.382: 621.385

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117003

Посилання: Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами / Х.Т. Юлдашев, З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 268-273 . — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Дата: 2016

Завантажень: 525

Усилительные процессы в газоразрядной ячейке, состоящей из полупроводника с плазменными контактами

Анотація:

В статье приводятся результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований вольт-амперных характеристик кристаллов арсенида галлия и теллурида кадмия с плазменными контактами в газоразрядной фотографической системе.

У статті наводяться результати теоретичних досліджень і експериментальних досліджень вольтамперних характеристик кристалів арсеніду галію і телуриду кадмію з плазмовими контактами в газорозрядній фотографічній системі.

The article presents the results of theoretical calculations and experimental studies of the currentvoltage characteristics of crystals of gallium arsenide and cadmium telluride contacts with a plasma gas discharge in the photographic system.

Показати повний запис статті