Створення гетероструктури n-InSe-графіт

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Журнал физики и инженерии поверхности
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, том 1
→
Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, № 3
→
Переглянути статтю

Створення гетероструктури n-InSe-графіт

Ковалюк, З.Д. ; Ткачук, І.Г. ; Поцілуйко, Р.Л. ; Катеринчук, В.М. ; Нетяга, В.В. ; Камінський, В.М.

Інші назви: Создание гетероструктуры n-InSe-графит
The creation of heterostructures n-InSe-graphite

УДК: 537.312, 535.215

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117000

Посилання: Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Дата: 2016

Завантажень: 309

Створення гетероструктури n-InSe-графіт

Анотація:

В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу.

В данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса.

This paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer.

Показати повний запис статті