Подробно исследован низкотемпературный минимум электросопротивления La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Анализ экспериментальных данных показывает, что обнаруженный низкотемпературный минимум электросопротивления в нулевом магнитном поле и большой магниторезистивный эффект, растущий при понижении температуры, можно объяснить в рамках модели спин-поляризованного туннелирования носителей тока через границы гранул.
Докладно досліджено низькотемпературний мінімум електроопору La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃. Аналіз експериментальних даних показує, що низькотемпературний мінімум електроопору, який виявлено, в
нульовому магнітному полі та великий магніторезистивний ефект, що росте при зниженні температури, можна пояснити в рамках моделі спін-поляризованого тунелювання носіїв струму через границі
гранул.
The low-temperature minimum of La₀,₈₅Ag₀,₁₅MnO₃
resistivity is studied comprehensively. According
to the experimental data the low-temperature minimum
of resistivity in zero magnetic field and
the significant magnetoresistive effect, increasing
with temperature decrease, can be explained within
the model of spin-polarized tunneling of carriers
through the grain boundaries.