Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусловленная ферми-жидкостным взаимодействием, из-за частичной локализации электронов на примесях в резонансном интервале является немонотонной.
Дано теоретичний опис концентраційної залежності g-фактора електронів провідності в гібридизованих станах на донорських домішках у напівпровіднику з урахуванням впливу міжелектронної
взаємодії в рамках фермі-рідинного підходу. Показано, що залежність, яка передбачається теорією і
обумовлена фермі-рідинною взаємодією, є немонотонною через часткову локалізацію електронів на
домішках у резонансному інтервалі.
The concentration dependence of conduction
electrons g factor in hybridized states on donor impurities
in a semiconductor is described theoretically
with allowance for the electron–electron interaction
in the framework of the Fermi-liquid
approach. It is shown that the theoretical dependence,
due to the Fermi-liquid interaction, is nonmonotonous
because of partial localization of electrons
on impurities in the resonance interval.