У роботі запропоновано новий технологічний підхід до синтезу мультипошарових наноструктур, який дає можливість підсилення їх сенсорних властивостей та застосування для високоефективного неелектрохімічного акумулювання електричної енергії. Показано, що синтез наноструктури InSe<CS(NH₂)₂> в постійному магнітному полі призводить до зміни магніторезистивного ефекту з від’ємного на додатній. Для наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезованої в постійному магнітному полі, зростає індуктивний відгук та діелектрична проникність більше, ніж на два порядки, також зареєстровано колосальний магнітоємнісний ефект. Синтез наноструктури GaSe<CS(NH₂)₂> у постійному магнітному полі забезпечує поєднання значення тангенса кута електричних втрат (меншого від одиниці) у інфранизькочастотному діапазоні з надвисоким значенням діелектричної проникності. Це є перспективним для накопичення електричної енергії на квантовому рівні.
В работе предложен новый технологический подход к синтезу мультислоистых наноструктур, который дает возможность усиления их сенсорных свойств и применения для высокоэффективного неэлектрохимического аккумулирования электрической энергии. Показано, что синтез наноструктуры InSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле приводит к изменению магниторезистивного эффекта с отрицательного на положительный. Для наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂>, синтезированной в постоянном магнитном поле, растет индуктивный отзыв и диэлектрическая проницаемость больше, чем на два порядка, также зарегистрирован колоссальный магнитоемкостный эффект. Синтез наноструктуры GaSe<CS(NH₂)₂> в постоянном магнитном поле обеспечивает сочетание меньшего единицы значения тангенса угла электрических потерь в инфранизкочастотном диапазоне со сверхвысоким значением диэлектрической проницаемости, является перспективным для накопления электрической энергии на квантовом уровне.
In this paper, new technological approach to the synthesis of multi layered nanostructures was proposed. It increased sensory properties of these nanostructures and used for highly efficient nonelectrochemical accumulation of electrical energy. It was shown, that the synthesis of InSe<CS(NH₂)₂> nanostructures in the constant magnetic field led to changes in magnetoresistive effect from negative to positive. For nanostructure GaSe<CS(NH₂)₂>, synthesized in a constant magnetic field, the inductive response and dielectric permittivity increased by more than two orders of magnitude. Also for this nanostructure huge magnetic capacitive effect was registered. Synthesis of GaSe<CS(NH₂)₂> nanostructure in constant magnetic field provided the combination (in the infra low frequency range) of loss tangent value (less then 1) with ultrahigh dielectric constant. This combination was promising for the accumulation of electrical energy on the quantum level.
