Проведены исследования резонансных и нерезонансных рентгеновских эмиссионных L-спектров примесей в полупроводниковых соединениях ZnS:Mn, ZnO:Mn, ZnO:Co, Cu₂O:Mn. Из анализа рентгеновских эмиссионных Mn L₂,₃ -спектров Zn₁-xMnxS (x = 0,1-0,3) установлено, что примеси Mn не образуют кластеры в решетке ZnS. Исследования Mn L₂,₃-спектров и электронной структуры эпитаксиальных пленок Zn₀,₈Mn₀,₂O, отожженных при различных температурах, показали, что причиной наблюдаемого подавления ферромагнетизма при T > 600 °C является сегрегация атомов Mn. В этом случае атомы Mn занимают как позиции Zn, так и входят в междоузлия. Для Zn₁-xCoxO (x = 0,02, 0,06 и 0,10) установлено отсутствие свободных носителей, которые могли бы быть ответственными за наличие обменного взаимодействия между ионами Co. Рентгеновские эмиссионные Mn L₂,₃ -измерения показывают, что в легированных Mn оксидах Cu₂O, синтезированных при 650 и 800 °С, атомы Mn находятся как в междоузлиях, так и замещают узлы Cu, однако конфигурации этих дефектов зависят от температуры синтеза. Уменьшение температуры Кюри с температурой синтеза может быть объяснено появлением антиферромагнитного сверхобмена между замещающими атомами Mn через кислород.
Проведено дослідження резонансних та нерезонансних рентгенівських емісійних L-спектрів домішок
у напівпровідникових сполуках ZnS:Mn, ZnO:Mn, ZnO:Co, Cu₂O:Mn. З аналізу рентгенівських емісійних
Mn L₂,₃ -спектрів Zn₁-xMnxS (x 0,1–0,3) установлено, що домішки Mn не утворюють кластери в гратці
ZnS. Дослідження Mn L₂,₃-спектрів та електронної структури епітаксійних плівок Zn₀,₈Mn₀,₂O, які відпалені при різних температурах, показали, що причиною спостережуваного пригнічення феромагнетизму
при T > 600 0
C є сегрегація атомів Mn. У цьому випадку атоми Mn займають як позиції Zn, так і входять у
міжвузловини. Для Zn₁-xCoxO (x 0,02, 0,06 и 0,10) установлено відсутність вільних носіїв, які могли
б бути відповідальними за наявність обмінної взаємодії між іонами Co. Рентгенівські емісійні Mn L₂,₃ -вимірювання показують, що в легованих Mn оксидах Cu₂O, які синтезовані при 650 і 800 °C, атоми
Mn перебувають як у міжвузловинах, так і заміщають вузли Cu, однак конфігурації цих дефектів залежать
від температури синтезу. Зменшення температури Кюри з температурою синтезу може бути пояснено появою антиферомагнітного надобміну між атомами, що заміщають Mn через кисень.
Resonant and non-resonant x-ray emission impurity
L spectra in semiconductor compounds
ZnS:Mn, ZnO:Mn, ZnO:Co, and Cu₂O:Mn have
been studied. From the analysis of x-ray emission
Mn L₂,₃ spectra of Zn₁-xMnxS (x = 0.1–0.3) it was
established that Mn impurities do not form clusters
in a ZnS lattice. The study of Mn L₂,₃ spectra and
the electronic structure of epitaxial Zn₀,₈Mn₀,₂O
film annealed at different temperatures showned
that the segregation of Mn atoms in ZnO is the reason
of disappearing of ferromagnetic ordering at
T > 600 °C. In this case Mn atoms both substitute
Zn site, and are in interstitial positions. In the case
of Zn₁-xCoxO (x = 0.02, 0.06, and 0.10) it was established
that the lack of free charge carries is responsible
for the absent of exchange interaction
between Co ions. X-ray emission Mn L₂,₃ measurements
indicate that in Mn doped Cu₂O oxides
sintered at 650 °C and 800 °C, Mn atoms are both
in interstitial, and aCu substitution positions, but
the defect configurations depend on the sintered
temperature. A reduction of TC with the increase of
the sintered temperature can be explained by the
appearance of the antiferromagnetic superexchange
between substitutional Mn atoms via oxygen ions
