Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації

Abstract

Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм.

The numerical calculation of the photohole distribution in macroporous silicon when exposing to light with the wavelengths 0.95, 1.05 μm has been performed. The calculation has been performed for macroporous silicon with various depths of macropores and various thicknesses of the single-crystal substrates. It has been shown that there are two maxima in the distribution of photocarriers in macroporous silicon if it is exposed to light with the wavelength 0.95 μm. The first maximum of photohole distribution in macroporous silicon is located in the macroporous layer, the second maximum – in the single-crystal substrate. It has been also shown that there is one maximum in the photocarrier distribution in macroporous silicon that are located in the single-crystal substrate when exposing to light with the wavelength 1.05 μm.