Химическое травление монокристаллов PbTe и Pb1–xSnxTe растворами H₂O₂–HBr с использованием разной исходной концентрации HBr

Abstract

Исследован характер химического травления монокристаллов PbTe и твердых растворов Pb1–xSnxTe в зависимости от исходной концентрации HBr, используемой для приготовления травильных композиций H₂O₂–HBr. Изучены зависимости скоростей химико-динамического травления поверхности полупроводников от состава растворов, их температуры и перемешивания, а также влияние исходной концентрации HBr на концентрационный интервал полирующих травителей и качество полученной поверхности. Оптимизированы составы травителей и режимы проведения химико-динамического полирования поверхности PbTe и Pb1–xSnxTe.

Investigated in this work is the nature of the chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions single crystals depending on initial HBr concentrations used for preparing the H₂O₂–HBr etching compositions. The dependences of chemical-dynamic etching rate of semiconductor surfaces on the composition etchants, their temperature and stirring regimes have been studied. The influence of the initial HBr concentration on the concentration range of polishing etchants and quality of the obtained surfaces has been also determined. The authors have performed optimization of etchant compositions and operation conditions for chemical-dynamic polishing the surfaces of the PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals.