Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд)

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2015, вип. 50
→
Переглянути статтю

Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд)

Власенко, О.І. ; Велещук, В.П. ; Киселюк, М.П. ; Власенко, З.К. ; Ляшенко, І.О. ; Ляшенко, О.В.

Інші назви: Acoustic emission of the light emitting diodes (review)

УДК: 621.383:621.381.2

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116748

Посилання: Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд) / О.І. Власенко, В.П. Велещук, М.П. Киселюк, З.К. Власенко, І.О. Ляшенко, О.В. Ляшенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 5-16. — Бібліогр.: 35 назв. — укр.

Дата: 2015

Завантажень: 320

Акустична емісія світловипромінюючих структур та світлодіодів (огляд)

Анотація:

Узагальнено матеріал з дослідження явища акустичної емісії (АЕ) у світловипромінюючих структурах та світлодіодах на основі сполук GaN, GaP при струмовому навантаженні. Запропоновано використання комбінованого методу АЕ та мікроскопії видимого діапазону для виявлення люмінесцентних флуктуацій та деградації квантового виходу в режимі реального часу. Стаття є продовженням огляду, опублікованого у журналі «Оптоэлектроника и полупроводниковая техника», 2014 р.

Material on research of the acoustic emission (AE) phenomenon in light-emitting structures and LEDs based on the GaN, GaP compounds has been generalized. The use of the combined method of AE and visible microscopy to detect luminescent fluctuations and quantum yield degradation processes in real time has been offered. This article has continued the review published in the journal “Оптоэлектроника и полупроводниковая техника”, 2014.

Показати повний запис статті