Характеризация элементного распределения по глубине пленок и покрытий методами RF GD-OES и TOFMS™

Характеризация элементного распределения по глубине пленок и покрытий методами RF GD-OES и TOFMS™

Інші назви: Характеризація елементного розподілу по глибині плівок та покриттів методами RF GD-OES та TOFMS™
Characterisation of Element Distribution in Films and Coatings with RF GD-OES and TOFMS™ Methods

Тема: Світ інновацій

Інший ID: DOI: doi.org/10.15407/scin8.02.034

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116087

Посилання: Характеризация элементного распределения по глубине пленок и покрытий методами RF GD-OES и TOFMS™ / П. Чапон, О.К. Костенко // Наука та інновації. — 2012. — Т. 8, № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Дата: 2012

Завантажень: 278

Характеризация элементного распределения по глубине пленок и покрытий методами RF GD-OES и TOFMS™

Анотація:

Описаны методы оптической эмиссионной спектрометрии тлеющего ВЧ-разряда. Приведены характеристики плазмы тлеющего разряда, позволяющие выполнять эрозию поверхности с высокой скоростью.

Описані методи оптичної емісійної спектрометрії тліючого ВЧ-розряду. Наведені характеристики плазми тліючого розряду, що дозволяють виконувати ерозію поверхні з високою швидкістю.

Methods of optical emission spectrometry of grow HFdis charge are described. The unique characteristics of GD plasma, which allow performing very fast surface erosion, are presented.

Показати повний запис статті