Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Павлюченко, А.С. | |
| dc.contributor.author | Кукла, А.Л. | |
| dc.contributor.author | Голтвянский, Ю.В. | |
| dc.contributor.author | Архипова, В.М. | |
| dc.contributor.author | Дзядевич, С.В. | |
| dc.contributor.author | Солдаткин, А.П. | |
| dc.date.accessioned | 2017-04-07T17:50:31Z | |
| dc.date.available | 2017-04-07T17:50:31Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.citation | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов / А.С. Павлюченко, А.Л. Кукла, Ю.В. Голтвянский, В.М. Архипова, С.В. Дзядевич, А.П. Солдаткин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2010. — Вип. 45. — С. 90-99. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115599 | |
| dc.description.abstract | Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p- канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного к области канала через двухслойный подзатворный диэлектрик SiO₂/Si₃N₄. Приведены данные экспериментов, на основании которых выдвинуто предположение о механизме наблюдаемой нестабильности. Показано, что отжиг в водороде на завершающей стадии процесса изготовления датчиков улучшает стабильность их характеристик. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The drift of transfer characteristics and threshold voltage of the p-channel ionselective field-effect transistors with induced channel, caused by long-term continuos influence of negative voltage applied to the channel area through the two-layer SiO₂/Si₃N₄ gate dielectric has beck investigated. Based on the experimental data a mechanism of the observed instability is proposed. It is shown that annealing in hydrogen at the final stage of sensors manufacturing improves the stability of their characteristics. | uk_UA |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена при финансовой поддержке НАН Украины в рамках комплексной научно-технической программы «Сенсорні системи для медико-екологічних та промислово-технічних потреб», а также проекта УНТЦ № 4591. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
| dc.title | Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов | uk_UA |
| dc.title.alternative | Investigation of stability of characteristics of the рН-sensitive field effect transistors | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.315.592 |
