Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010, вип. 45
→
Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010, вип. 45 за назвою

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010, вип. 45 за назвою

Результати 1-17 з 17

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами

Литовченко, Н.М.; Насека, Ю.Н.; Прохорович, А.В.; Рашковецкий, Л.В.; Стрильчук, О.Н.; Сизов, Ф.Ф.; Войциховская, О.О.; Данильченко, Б.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Изучено влияние облучения потоками γ-квантов (доза 10—500 кГр) на низкотемпературную (Т = 5 К) фотолюминесценцию кристаллов Cd1–xZnxTe (x = 0,04). Наблюдались стимулированные γ-облучением: а) существенное уменьшение ...
Влияние пленки SiOx, нанесенной термическим испарением, на краевую люминесценцию монокристаллического кремния

Власенко, Н.А.; Сопинский, Н.В.; Гуле, Е.Г.; Велигура, Л.И.; Братусь, В.Я.; Мельник, Р.С.; Денисова, З.Л.; Мухльо, М.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает ...
Вплив поверхневої провідності на електричні властивості мезаструктурних InAs p—n-переходів

Сукач, А.В.; Тетьоркін, В.В.; Мазарчук, І.О.; Кролевець, М.М.; Лук’яненко, В.І.; Луцишин, І.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p—n-переходів, виготовлених дифузійним методом. З’ясовано, що внаслідок використання протравлювача 2 % Br₂ + HBr для виготовлення ...
Газовый сенсор на поверхностных плазмонах для распознавания спиртов с использованием чувствительных пленок каликсаренов

Христосенко, Р.В.; Костюкевич, Е.В.; Зыньо, С.А.; Павлюченко, А.С.; Самойлов, А.В.; Ушенин, Ю.В.; Костюкевич, С.А.; Кальченко, В.И. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

В работе показана возможность построения многоэлементного газового сенсора спиртов на основе преобразователя поверхностного плазмонного резонанса (ППР) и сенсорного массива с перекрестной реактивностью. В качестве ...
Исследование стабильности характеристик рН-чувствительных полевых транзисторов

Павлюченко, А.С.; Кукла, А.Л.; Голтвянский, Ю.В.; Архипова, В.М.; Дзядевич, С.В.; Солдаткин, А.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Исследован дрейф вольт-амперных характеристик и порогового напряжения p- канальных ионоселективных полевых транзисторов с индуцированным каналом при долговременных воздействиях открывающего рабочего напряжения, приложенного ...
Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України — 50 років

Мачулін, В.Ф. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки

Венгер, Е.Ф.; Готовы, И.; Шеховцов, Л.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

В образцах контакта Шоттки NbN—GaAs обнаружена и исследована фотоЭДС, которая генерируется вдоль границы раздела металл—полупроводник. Характер распределения ЭДС вдоль образца гетеросистемы указывает на преимущественно ...
Легування термоелектричного матеріалу електроактивними домішками

Павлович, І.І.; Копил, О.І.; Томашик, В.М. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Проведено експериментальні дослідження залежностей термоЕРС і електропровідності р-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ та n-(Bi₂Te₃)₀,₉(Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅, вирощених методом вертикальної зонної плавки, залежно від ...
Наноинтеграция и самосборка в нано-электронике (обзор)

Свечников, Г.С.; Морозовская, А.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Обзор охватывает современные принципы интеграции и самосборки наноразмерных элементов, их массивов и иерархических структур в электронике. В качестве материалов для наноинтеграции рассмотрены углеродные нанотрубки, графен ...
Оптические нелинейности в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (обзор)

Толмачев, И.Д.; Стронский, А.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Рассмотрены методики измерения и основные экспериментальные результаты по измерению нелинейных оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). Приведены примеры реализации устройств оптической ...
Оптоелектронний колориметричний сенсор аміаку

Вахула, О.А.; Хоруженко, В.Ю.; Кукла, О.Л.; Самойлова, І.О.; Шульженко, О.В.; Манорик, П.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розроблено оптоелектронну колориметричну систему для детектування парів аміаку із застосуванням стрічкового хімічного сенсора на основі високоселективного бромкрезолового індикатора. Досліджено чутливість системи щодо ...
Поверхневі поляритони в монокристалах 6Н-SiC, розміщених у сильному однорідному магнітному полі

Венгер, Є.Ф.; Євтушенко, А.І.; Мельничук, Л.Ю.; Мельничук, О.В. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Показано можливість збудження поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів (ПП) в оптично-анізотропних монокристалах карбіду кремнію (політип 6H), розміщених у сильному однорідному магнітному полі за взаємно ...
Радіаційна і термічна стійкість тонких шарів, гетеросистем і наноструктур, створюваних на основі елементарних напівпровідників і напівпровідникових сполук

Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Розглянуто основні особливості нанооб’єктів (НО), що зумовлюють їх термічну і радіаційну стійкість, а також ті фактори, які зумовлюють вияв радіаційної і термічної нестійкості тонких шарів, гетероструктур та інших НО. У ...
Сенсор поверхностного плазмонного резонанса для определения уровня барбитуратов в жидкой пробе

Костюкевич, Е.В.; Костюкевич, С.А. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Разработана методика управления селективностью поверхности сенсора поверхностного плазмонного резонанса (ППР) с использованием самоорганизованной матричной системы золото—меркаптаны разной длины и структуры. Показано, что ...
Титульная страница и содержание

Автор відсутній (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Фотолюмінесценція поруватих nc-Si—SiOx наноструктур, оброблених парами HF

Данько, В.А.; Індутний, І.З.; Михайловська, К.В.; Шепелявий, П.Є. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Досліджено вплив обробки парами НF тонкоплівкових nc-Si—SiOx cтруктур на їх люмінесцентні властивості в спектральній області 0,5—1 мкм. Протравлювання в парах НF призводить до зменшення розмірів nc-Si в досліджуваних ...
Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люмино-фора и белого света

Хмиль, Д.Н.; Камуз, А.М.; Олексенко, П.Ф.; Алексенко, Н.Г.; Камуз, В.Г. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)

Разработан экспресс-метод определения наименьшей разницы цвета (НРЦ) люминофора и белого света. Метод испытан на трех типах люминофоров с коэффициентами поглощения в области излучения синих светодиодов 454—464 нм от ...

Результати 1-17 з 17

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека
Колекція

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010, вип. 45 за назвою

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010, вип. 45 за назвою

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Колекція

Мій обліковий запис