Власенко, Н.А.; Сопинский, Н.В.; Гуле, Е.Г.; Велигура, Л.И.; Братусь, В.Я.; Мельник, Р.С.; Денисова, З.Л.; Мухльо, М.А.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2010)
Показано, что нанесение пленки SiOx (x = 1,2—1,3) термическим испарением монооксида кремния на пластину Si p-типа проводимости усиливает краевую люминесценцию в максимуме спектра (λмакс = 1130—1140 нм) в 4—5 раз и увеличивает ...