Показано, что направленной кристаллизацией псевдобинарных композиций дисилщида молибдена MoSi₂ с некоторыми тугоплавкими соединениями, в частности с диборидами титана TiB₂, циркония ZrB₂, боридом молибдена Мо₂В₅, карбидами бора В₄С и кремния SiC, могут быть получены композиционные материалы с более высокими прочностными характеристиками, окалино- и термостойкостью, чем у индивидуального дисилщида молибдена.
Встановлено, що спрямованою кристалізацією псевдобінарних композицій дисиліциду молібдену MoSi₂ з деякими тугоплавкими сполуками, зокрема з диборидами титану ТіВ₂, цирконію ZrB₂, боридом молібдену Мо₂В₅, карбідами бору В₄С та кремнію SiC, можуть бути одержані композиційні матеріали з більш високими характеристиками міцності, окаліно- та термостійкостю, ніж у індивідуального дисиліциду молібдену.
In the present work it is shown that by means of directional crystallization of molibdenium dicilicide (MoSi₂) based pseudobinary compositions with some refractory compounds, in particular with titanium diboride (TiB₂), zirconium diboride (ZrB₂), molibdenium boride (Mo₂B₅), boron (B₄C) and silicon carbides (SiC) it is possible to produce composite materials with improved, as compared with pure molibdenium dicilicide, mechanical properties and high-temperature properties, such as oxidation resistance and thermal resistance.