Описана температурная зависимость концентрации носителей в кремнии, связанная с перезарядкой дважды отрицательной и положительно заряженной дивакансии в процессе ее конфигурационной перестройки из одной конфигурации с большей дисторсии в меньшую дисторсию и обратно. Показано, что экспериментальное наблюдение обобщенных уровней Ес-0,23 и Еv+0,283 эВ дивакансии возможно только в процессе их конфигурационной перестройки. Установлено, что концентрация V₂²⁻/⁻ с экспериментально наблюдаемым уровнем Ес-0,23 эВ определяется не только видом ядерного излучения, но и зависит от введения точечных дефектов межузельного типа. Представлена в зависимости от температуры возможная конфигурационная перестройка дивакансий в γ-облученном n-Si. Математически описана температурная зависимость концентрации электронов в зоне проводимости n-типа кремния. Определены концентрация и зарядовое состояние обобщенного уровня Ес-0,11 эВ дивакансии.
Описана температурна залежність концентрації електронів у n-Si, яка пов'язана з перезарядженням двічі негативно зарядженої дивакансии в процесі конфігураційної перебудови з однієї конфігурації з більшої дис-торсії в меншую дисторсію і навпаки. Доведено, що експериментальне спостереження так узагальнених рівнів Eс-0,23 і Еv+0,283 еВ дивакансии можливо тільки в процесі її конфігураційної перебудови. Показано, що концентрація V₂²⁻/⁻ з експериментально спостережуваним рівнем Ес-0,23 еВ визначається не тільки видом ядерного випромінювання, але і залежить від введення точкових дефектів межузельного типу. Представлена в залежності від температури можлива конфігураційна перебудова дивакансій в γ-опроміненому n-Si. Математично описано температурна залежність концентрації електронів у зоні провідності n-типу кремнію. Визначена концентрація і зарядовий стан узагальненого рівня Eс-0,11 еВ дивакансії.
The temperature dependence of the electron concentration in n-Si associated with recharging a doubly negatively charged divacancy in the process configuration adjustment from one configuration with greater distortion in the smaller and vice versa was described. It is proved that the experimental observation of generalized Eс-0.23 and Ev+0.283 eV levels of divacancy is possible only in the process of its configuration adjustment. It is shown that the concentration V₂²⁻/⁻ with experimentally observed level of the Eс-0.23 eV is determined not only by nuclear radiation, but also depends on the introduction of point defects interstitial type. Depending on temperature possible configuration rebuilding of divacancy in the irradiated n-Si was presented. Mathematically the temperature dependence of the electron concentration in the conduction band of n-type silicon was described. The concentration and charge state of the generalized level Eс-0.11 eV of divacancy was defined.
