Temperature dependence of the energy resolution and leakage current of the planar silicone detectors

Abstract

The method of measurement and automated test probe station for the study of the temperature dependence of the leakage current and energy resolution of single-channel planar silicon detectors (PSD) was created. Energy resolution and leakage current of PSD with different initial (at room temperature) energy resolution in the temperature range from -30° C to 60° C was measured. Method allows to make the PSD selection for the detector systems with the possibility of use at elevated temperatures.

Розроблена методика вимiрювань i створенi автоматизованi стенди для дослiдження температурної залежностi струмiв витоку та енергетичної роздiльної здатностi одноканальных планарних кремнiєвих детекторiв (ПКД). В дiапазонi температур −30° C до +60° C проведено вимiрювання енергетичної роздiльної здатностi та струмiв витоку ПКД з рiзними початковими (при кiмнатнiй температурi) енергетичними роздiльними здатностями. Методика дозволяє проводити вiдбiр ПКД для детектуючих систем, працюючих при пiдвищених температурах.

Разработана методика измерений и созданы автоматизированные стенды для исследования температурной зависимости энергетического разрешения и токов утечки одноканальных планарных кремниевых детекторов (ПКД). В диапазоне температур −30° C до +60° C проведено измерение энергетического разрешения и токов утечки ПКД с различным начальным (при комнатной температуре) энергетическим разрешением. Методика позволяет производить отбор ПКД для детектирующих систем, работающих при повышенных температурах.