Room-temperature ultraviolet laser emission from ZnO hexagonal microprisms and nanowires

Abstract

We report the observation of optically pumped laser generation in ZnO microprisms and nanowires at room temperature. The ZnO microprisms were grown on the single crystal (100) silicon substrates by a solid-vapor-phase process. The ZnO nanowires were grown on a glass substrate coated with indium tin oxide by the electrochemical deposition. Laser effect was observed at room temperature at the optically pump power higher than 685 kW cm⁻² for ZnO microprisms and 560 kW cm⁻² — for ZnO nanowires.

Мы сообщаем о наблюдении лазерной генерации при оптической накачке в ZnO микропризмах и нанопроволоках при комнатной температуре. Микропризмы ZnO были выращены на монокристаллических (100) кремниевых подложках с паровой фазы. ZnO нанопроволоки были выращены на стеклянных подложках, покрытых оксидным слоем индия с оловом, путем электрохимического осаждения. Лазерный эффект наблюдался при комнатной температуре в тех случаях, когда мощность оптический накачки превышала 685 кВт см⁻² для ZnO микропризм и 560 кВт см⁻² для ZnO нанопроволок.

Ми повідомляємо про спостереження лазерної генерації при оптичному нагнітанні в ZnO мікропризмах і нанодротах за кімнатної температури. Мікропризми ZnO були вирощені з парової фази на монокристалічних (100) кремнієвих підкладках. ZnO нанодроти були вирощені електрохімічним осадженням на скляних підкладках, покритих оксидним шаром індію з оловом. Лазерний ефект спостерігався при кімнатній температурі в тих випадках, коли потужність оптичного нагнітання перевищувала значення 685 кВт см⁻² для ZnO мікропризм і 560 кВт см⁻² для ZnO нанодротів. фази на монокристалічних (100) кремнієвих підкладках. ZnO нанодроти були вирощені електрохімічним осадженням на скляних підкладках, покритих оксидним шаром індію з оловом. Лазерний ефект спостерігався при кімнатній температурі в тих випадках, коли потужність оптичного нагнітання перевищувала значення 685 кВт см⁻² для ZnO мікропризм і 560 кВт см⁻² для ZnO нанодротів.