Рассмотрено изменение электрофизических свойств антрацита в интервале частот 500 Гц – 1 МГц в зависимости от температуры и воздействия импульсов магнитного поля частотой 1 Гц. Показано, что тип электропроводности в антраците (полупроводниковый или металлический) зависит от интервала температур и частоты. Релаксация компонент комплексного импеданса после импульсного воздействия связана с изменением электрической емкости поляризованных границ поверхности пор и влажности образца.
Розглянуто зміну електрофізичних властивостей антрациту в інтервалі частот 500 Гц – 1 МГц в залежності від температури та впливу імпульсів магнітного поля частотою 1 Гц. Показано, що тип електропровідності в антрациті (напівпровідниковий або металевий) залежить від інтервалу температур і частоти. Релаксація компонент комплексного імпедансу після імпульсного впливу пов'язана зі зміною електричної ємності поляризованих меж поверхні пір і вологості зразка.
The change in the electrical properties of anthracite in the frequency range 500 Hz – 1 MHz depending on temperature and exposure to magnetic field pulses at 1 Hz is considered. Shown that the type of electrical conductivity (semiconductor or metallic) of anthracite depends on the temperature and frequency range. Relaxation of the complex impedance components after pulsed exposure related with the change in capacitance of the polarized boundary surface of the pores and the moisture content of the spacimen.