Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2014 (том 36)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2014, № 02
→
Переглянути статтю

Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage

Makara, V.A. ; Steblenko, L.P. ; Korotchenkov, O.A. ; Nadtochiy, A.B. ; Kalinichenko, D.V. ; Kuryliuk, A.M. ; Kobzar, Yu.L. ; Krit, O.M.

Інші назви: Зміни поверхневого заряду і вмісту дефектів в кремнії для накопичувачів сонячної енергії, викликані магнітним полем
Изменения поверхностного заряда и содержания дефектов в кремнии для накопителей солнечной энергии, вызванные магнитным полем

Тема: Дефекты кристаллической решётки

Інший ID: PACS numbers: 61.72.Bb, 61.72.Cc, 61.72.Dd, 61.72.Hh, 66.30.Dn
DOI: http://dx.doi.org/10.15407/mfint.36.02.0189

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/106884

Посилання: Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage / V.A. Makara, L.P. Steblenko, O.A. Korotchenkov, A.B. Nadtochiy, D.V. Kalinichenko, A.M. Kuryliuk, Yu.L Kobzar.,O.M. Krit // Металлофизика и новейшие технологии. — 2014. — Т. 36, № 2. — С. 189-193. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Дата: 2014

Завантажень: 623

Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage

Анотація:

The effect of a weak static magnetic field on the structure and charge state of silicon for solar energy storage is investigated. As found, the magnetic-fieldstimulated changes in the defect—impurity state and surface potential are reversible.

В роботі досліджено вплив слабкого сталого магнітного поля на структуру та зарядовий стан кремнію для сонячної енергетики. Виявлено, що магнітостимульовані зміни дефектно-домішкового стану та поверхневого потенціалу мають зворотній характер.

В работе исследуется влияние слабого постоянного магнитного поля на структуру и зарядовое состояние кремния для солнечной энергетики. Обнаружено, что магнитостимулированные изменения дефектно-примесного состояния и поверхностного потенциала носят обратимый характер.

Показати повний запис статті