Исследованны многочастотные лавинно-генераторные диоды (ЛГД) на основе резких Si и GaAs p–n-переходов с высоколегированной n-областью. Рассчитаны временные реализации выходной мощности и приведены проекции аттракторов на двумерное фазовое пространство ЛГД. Выполнен спектральный анализ выходной мощности и определен электронный коэффициент полезного действия. Показано, что многочастотные автоколебания синхронно возбуждаются в n- и p-областях резкого p–n-перехода на высших гармониках внешнего сигнала.
Досліджено багаточастотні лавинно-генераторні діоди (ЛГД) на основі різких Si і GaAs p–n-переходів із високолегованою n-областю. Розраховано часові реалізації вихідної потужності і наведено проекції атракторів на двовимірний фазовий простір ЛГД. Виконано спектральний аналіз вихідної потужності і визначено електронний коефіцієнт корисної дії. Показано, що багаточастотні автоколивання синхронно збуджуються в n- і p-областях різкого p–n-переходу на вищих гармоніках зовнішнього сигналу.
Multifrequency avalanche-generator diodes (AGD) based on abrupt Si and GaAs p–n-junction from a high-alloy nregion were investigated. The time of realization of output power was calculated and a projection of the attractors in the 2D phase space of AGD was provided. The spectral analysis of output power was completed and electronic efficiency was defined. It is shown that the multi-frequency self-oscillations are excited synchronously in n- and p-regions of abrupt p–n-junction at higher harmonics of the external signal.