В кинетическом приближении рассмотрено взаимодействие заряженных частиц с поверхностными плазмонами в структуре полупроводник-диэлектрик (вакуум). Учитывается влияние потенциального барьера, существующего на границе сред, на это взаимодействие. Найден инкремент неустойчивости поверхностных плазмонов. Показано, что наличие потенциального барьера приводит к его уменьшению
У кінетичному наближенні розглянуто взаємодію заряджених часток з поверхневими плазмонами в структурі напівпровідник-діелектрик (вакуум). Враховано вплив потенційного бар’єра, що існує на межі середовищ, на цю взаємодію. Знайдено інкремент нестійкості поверхневих плазмонів. Показано, що наявність потенційного бар’єра зменшує інкремент.
In a kinetic approximation an interaction between the charged particles and surface plasmons in a semiconductor-dielectric (vacuum) structure is considered. The impact of the potential barrier at the interface on this interaction is taken into account. An instability increment of surface plasmons is found. The existence of the potential barrier results in a decreased of increment.