На основі моделі сильного зв’язку досліджено електронну структуру, вільну енергію та спін-залежний транспорт графену з домішкою атомів Cr. Виконано «геометричну оптимізацію» кристалічної структури графену з домішкою Cr шляхом мінімізації вільної енергії. Встановлено, що атоми Cr адсорбуються на поверхні графену. З’ясовано природу спін-залежного електронного транспорту графену з атомами Cr. Показано, що явище спін-залежного електронного транспорту в графені виникає внаслідок сильних електронних кореляцій, зумовлених наявністю атомів Cr.
На основе модели сильной связи исследована электронная структура, свободная энергия и спин-зависимый транспорт в графене с примесью атомов Cr. Выполнена «геометрическая оптимизация» кристаллической структуры графена с примесью Cr путём минимизации свободной энергии. Установлено, что атомы Cr адсорбируются на поверхности графена. Выяснена природа спин-зависимого электронного транспорта графена с атомами Cr.
Based on the tight-binding model, the electronic structure, free energy, and spin-dependent transport of graphene doped with Cr atoms are investigated. ‘Geometric optimization’ of the crystal structure of graphene with Cr admixture is accomplished by means of the free-energy minimization. As determined, the Cr atoms are adsorbed on the graphene surface. The origin of the spin-dependent electron transport of graphene with Cr atoms is revealed.