Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Металлофизика и новейшие технологии
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2013 (том 35)
→
Металлофизика и новейшие технологии, 2013 (том 35), № 02
→
Переглянути статтю

Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії

Макара, В.А. ; Стебленко, Л.П. ; Бокоч, С.M. ; Курилюк, А.М. ; Кобзар, Ю.Л.

Інші назви: Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon

Тема: Физика прочности и пластичности

Інший ID: PACS numbers:61.72.Cc, 61.72.Dd,61.72.Hh,62.20.Qp,66.30.J-,81.40.Rs, 83.60.Np

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/104083

Посилання: Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, С.M. Бокоч, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар // Металлофизика и новейшие технологии. — 2013. — Т. 35, № 2. — С. 265-278. — Бібліогр.: 29 назв. — укр.

Дата: 2013

Завантажень: 441

Релаксація магнеточутливих домішок у монокристалічному кремнії

Анотація:

Виконано систематичну оцінку рівноважних і кінетичних параметрів релаксації «магнеточутливих» домішок у монокристалічному кремнії на основі мікроскопічного моделю релаксації конфіґураційного близького атомового порядку та часової залежности зміни мікротвердости.

Выполнена систематическая оценка равновесных и кинетических параметров релаксации «магниточувствительных» примесей в монокристаллическом кремнии на основе микроскопической модели релаксации конфигурационного ближнего атомного порядка и временной зависимости изменения микротвёрдости.

Based on the microscopic relaxation model of the configuration short-range atomic order and time dependence of changes in microhardness, the systematic evaluation of equilibrium and kinetics parameters of ‘magneticsensitive’ impurities in single-crystalline Si is carried out.

Показати повний запис статті