Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Ковалюк, З.Д. |
|
dc.contributor.author |
Боледзюк, В.Б. |
|
dc.contributor.author |
Шевчик, В.В. |
|
dc.contributor.author |
Дубик, О.М. |
|
dc.contributor.author |
Камінський, В.М. |
|
dc.date.accessioned |
2016-06-08T17:14:55Z |
|
dc.date.available |
2016-06-08T17:14:55Z |
|
dc.date.issued |
2012 |
|
dc.identifier.citation |
Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію / З.Д. Ковалюк, В.Б. Боледзюк, В.В. Шевчик, О.М. Дубик, В.М. Камінський // Физическая инженерия поверхности. — 2012. — Т. 10, № 4. — С. 448-452. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1999-8074 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101884 |
|
dc.description.abstract |
Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe₇>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Исследованы структурные особенности и температурные зависимости електросопротивления, термоэлектродвижущей силы, концентрации носителей заряда и фототока InSe<VSe₇>. Показано, что при легировании InSe селенидом ванадия происходит образование твердого раствора замещения с незначительными изменениями параметров решетки, а также проявляется немонотонный характер температурных зависимостей электрических параметров в сравнении с нелегированным InSe. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe₇> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Физическая инженерия поверхности |
|
dc.title |
Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
dc.identifier.udc |
537.216, 537.226 |
|
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті