Влияние режима магнетронного распыления и состава реакционного газа на структуру и свойства пленок ITO

Abstract

Изучено влияние температуры подложки, состава рабочего газа и режимов DC и MF реактивного магнетронного распыления сплава 90%In + 10%Sn на структурное состояние, электрическое сопротивление, прозрачность и ширину запрещенной зоны пленок ITO, осажденных на стеклянные подложки. Установленная зависимость электронно-оптических свойств пленок ITO от условий их получения поясняется влиянием степени релаксации внутренних напряжений и кристалличности.

Вивчено вплив температури підкладки, складу робочого газу і режимів DC і MF реактивного магнетронного розпилення сплаву 90%In + 10%Sn на структурний стан, електричний опір, прозорість і ширину забороненої зони плівок ITO, осаджених на скляні підкладки. Встановлена залежність електронно-оптичних властивостей плівок ITO від умов їх отримання пояснюється впливом ступеню релаксації внутрішніх напруг і кристалічності.

The influence of substrate temperature, composition of the working gas and DC and MF modes of reactive magnetron sputtering of an alloy 90%In + 10%Sn on the structural state, electrical resistance, transparency, and the band gap of the films ITO, deposited on glass substrates have been studied. The dependence of electron-optical properties of ITO films on the conditions of their production explains by the influence of the relaxation of internal stresses and crystallinity.