Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃

dc.contributor.author	Осинский, В.И.
dc.contributor.author	Гончаренко, Т.И.
dc.contributor.author	Ляхова, Н.Н.
dc.date.accessioned	2016-06-08T10:58:16Z
dc.date.available	2016-06-08T10:58:16Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	1999-8074
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/101844
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Физическая инженерия поверхности
dc.title	Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA