Amorphous C/Si multilayers were prepared by DC magnetron sputtering technique and investigated
by transmission electron microscopy and low-angle x-ray diffraction methods after annealing at 650
and 950 °C. The amorphous interlayers of 0.5 − 0.6 nm thick were found at C/Si and Si/C interfaces
being of different density and composition. Amorphous structure of the multilayer is stable up to
950 °C when crystallization of α-SiC occurs and voids form in α-Si layer.
Изготовленные методом прямоточного магнетронного распыления аморфные многослойные
композиции C/Si были исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии и
малоугловой рентгеновской дифракции после отжигов при температуре 650 и 950 °C. На границах
раздела C/Si и Si/C обнаружены аморфные перемешанные зоны толщиной 0.5 – 0.6 нм c различными плотностью и составом. Аморфная структура многослойной композиции стабильна
вплоть до 950 °C, когда наблюдается формирование пор в слоях α-Si и кристаллизация α-SiC.
Виготовлені методом прямоточногомагнетронного розпилення аморфні багатошарові композиції
C/Si було досліджено методами просвічувальної електронної мікроскопії та малокутової рентгенівської дифракції після відпалу при температурі 650 і 950 °C. На межах поділу C/Si та Si/C
виявлені аморфні перемішані зони різної густини та складу завтовшки 0.5 – 0.6 нм. Аморфна
структура багатошарової композиції є стабільною до 950 °C, коли спостерігається формування
пор у шарах α-Si у та кристалізація α-SiC.
