Создание пространственных квантовых нитей в объеме монокристаллического кремния кулоновским взрывом

Abstract

Смещение атомов легирования в скрытых треках структуры монокристаллического кремния приводит к изгибу энергетических зон, т.е. к созданию разделительного электрического поля для носителей заряда. Образование проводящих квантовых нитей в объеме кристалла обеспечит повышение эффективности (увеличение токосъема) и радиационной устойчивости кремниевых фотоэлементов для специального применения их в условиях Земли и космического пространства.

Зсув атомів легування у прихованих треках структури монокристалічного кремнію приводить до згину енергетичних зон, тобто до створення розділового електричного поля для носіїв заряду. Створення провідних квантових ниток в обсязі кристала забезпечить підвищення ефективності (збільшення збору носіїв заряду) та радіаційної стійкості кремнієвих фотоелементів для спеціального застосування їх в умовах Землі та космічного простору.

Displacement of dopants atoms in the structure of hidden track of monocrystalline silicon leads to the bending of energy bands, i.e. to the formation of the separating electric field for charge carriers. The formation of conductive quantum filaments in the crystal bulk will improve the effectiveness (increase in current collection), and radiation hardness of silicon solar cells for specific use them on Earth and in outer space.