В работе на примере измерения параметров ультратонких (3 – 5 нм) TiNx пленок показана возможность использования рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии для определения толщины и сплошности пленок наноразмерной толщины. Пленки TiNx были получены на кремнии
методом слаботочного ионно-лучевого распыления титановой мишени в атмосфере азота. Показаны преимущества метода РФЭС по сравнению с другими распространенными методами
исследования поверхности твердого тела, описана методика измерения толщины ультратонких
пленок.
У роботі на прикладі вимірювання параметрів ультратонких (3 – 5 нм) TiNx плівок показана
можливість використання рентгенівської фотоелектронної спектроскопії для визначення
товщини і суцільності плівок нанорозмірної товщини. Плівки TiNx були отримані на кремнії
методом слаботочного іонно-променевого розпилення титанової мішені в атмосфері азоту.
Показано переваги методу РФЕС в порівнянні з іншими поширеними методами дослідження
поверхні твердого тіла, описана методика вимірювання товщини ультратонких плівок.
In the current paper, the example of measuring the parameters of ultrathin (3 – 5 nm) TiNx films
demonstrates the possibility of using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) for determination the
thickness and continuity of the films of nanoscale thickness. TiNx films were obtained on silicon by
the low-current ion-beam sputtering of titanium target in a nitrogen atmosphere. The advantages of
XPS method in comparison with other common methods of solid surface analysis are shown. The
method of measuring the thickness of ultrathin films by XPS was described in details.
