В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.
У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими
дослідженнями закономірності зміни ємності
p-n-переходу від напруги і характеристичного
параметра установлено, що чим різкіше і тонше
p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.
In the work the results of research of processes of pn-junction
gates space charge layer expansion in the
field transistor are given. By direct researches of
change of р-n-junction capacity with voltage and
characteristic parameter is established, that the more
abruptly and the thiner р-n-junction on the higher
steepness of the transfer characteristics of the field
transistor, made on its base is.