Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок

Abstract

Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока.

Плівки TaB₂ були синтезовані ВЧ магнетронним розпиленням мішені ТаВ₂ на скляні та ситалові підкладинки. Досліджено вплив параметрів розпилення магнетронної розпилювальної системи на склад і товщину покрить методами фотометрії та вторинної іонної мас-спектрометрії. Показано, що для одержання стехиометричного складу й максимальної товщини необхідно попередньо визначати величини оптимального тиску робочого газу, відстані від мішені до підкладки і потім розміщати зразки в зоні рівномірного розподілу потоку.

TaB₂ films were synthesised by hf magnetron spattering of the TaB₂ target onto glass and pyroceramic surface. The influence of spattering parameters of magnetron spattering system on the film composition and thickness was investigated by photo-metry and secondary mass-spectrometry methods. It was shown, that values of optimal working gas pressure, distances from the target to the substrate must be determined in advance as well as samples must be located in the flow uniform distribution zone in order to receive stoichiometric composition and top thickness.