Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015 (том 13)
→
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2015, № 2
→
Переглянути статтю

Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент

Лизунов, В.В. ; Кочелаб, Е.В. ; Скакунова, Е.С. ; Лень, Е.Г. ; Молодкин, В.Б. ; Олиховский, С.И. ; Толмачёв, Н.Г. ; Шелудченко, Б.В. ; Лизунова, С.В. ; Скапа, Л.Н.

Інші назви: The Dispersion Sensitivity of Scattering Pattern to Defects Depending on Thickness of Crystalline Products of Nanotechnologies. II. Numerical Experiment

Інший ID: PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cc, 61.05.cf, 61.05.cp, 61.46.Hk, 61.72.Dd, 68.55.jd

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/87995

Посилання: Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент / В.В. Лизунов, Е.В. Кочелаб, Е.С. Скакунова, Е.Г. Лень, В.Б. Молодкин, С.И. Олиховский, Н.Г. Толмачёв, Б.В. Шелудченко, С.В. Лизунова, Л.Н. Скапа // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 2. — С. 349–370. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Дата: 2015

Завантажень: 656

Дисперсионная чувствительность картины рассеяния к дефектам в зависимости от толщины кристаллических изделий нанотехнологий. II. Численный эксперимент

Анотація:

На основе построенной в первой части работы обобщённой модели дисперсионночувствительной дифрактометрии неидеальных кристаллов произвольной толщины проведён анализ дифференциальных и интегральных картин рассеяния для широкого интервала эффективных толщин кристалла.

На основі побудованої у першій частині роботи узагальненої моделі дисперсійночутливої дифрактометрії неідеальних кристалів довільної товщини проведено аналіз диференційних та інтеґральних картин розсіяння для широкого інтервалу ефективних товщин кристалу.

Based on generalized model of dispersion-sensitive diffractometry constructed in the first part for imperfect crystals of arbitrary thickness, the analysis of differential and integral scattering patterns for a wide range of effective thickness of the crystal is carried out.

Показати повний запис статті