Генерация и формирование пучков металлических ионов на высокодозном ионном имплантере

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення ядерної фізики та енергетики
→
Вопросы атомной науки и техники
→
Bопросы атомной науки и техники, 2015
→
Вопросы атомной науки и техники, 2015, № 2
→
Переглянути статтю

Генерация и формирование пучков металлических ионов на высокодозном ионном имплантере

Батурин, В.А. ; Еремин, С.А. ; Пустовойтов, С.А. ; Литвинов, П.А. ; Карпенко, А.Ю. ; Мирошниченко, В.И.

Інші назви: Генерація та формування пучків металевих іонів на високодозному іонному імплантері
Generation and formation of metal ion beams on high-dose ion implanter

Тема: Диагностика и методы исследований

УДК: 537.534.3:621.384.6

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/82461

Посилання: Генерация и формирование пучков металлических ионов на высокодозном ионном имплантере / В.А. Батурин, С.А. Еремин, С.А. Пустовойтов, П.А. Литвинов, А.Ю. Карпенко, В.И. Мирошниченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2015. — № 2. — С. 204-209. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Підтримка: Авторы выражают благодарность В.Е. Сторижко и В.Н. Воеводину за постановку задачи и постоянное внимание к работе. Работа выполнена при поддержке гранта НАН Украины №К-9-69/2013.

Дата: 2015

Завантажень: 934

Генерация и формирование пучков металлических ионов на высокодозном ионном имплантере

Анотація:

Разработана установка для высокодозной имплантации металлических ионов в диапазоне энергий 20…500 кэВ. Использован газомагнетронный источник ионов металлов распылительного типа. Проведено компьютерное моделирование процессов экстракции ионного пучка из плазменной границы источника ионов и его транспортировки в ионно-оптической системе имплантера. Получены масс-спектры пучков ионов.

Розроблено установку для високодозної імплантації металевих іонів у діапазоні енергій 20…500 кеВ. Використанo газомагнетронне джерело іонів металів розпилювального типу. Проведено комп’ютерне моделювання процесів екстракції іонного пучка з плазмової границі джерела іонів та транспортування пучка в іонно-оптичній системі імплантера. Отримано мас-спектри пучків іонів.

Installation for high-dose implantation of metal ions with energies of 20…500 keV was designed. Gas magnetron metal ion source of sputter type was used. Computer simulation of processes of ion beam extraction from plasma boundary of the ion source and beam transporting in the ion-optic system of the implanter was made. Mass-spectra of ion beams were obtained.

Показати повний запис статті