Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи

Abstract

На основании спада фотонапряжения при возбуждении трехбарьерной фотодиодной Ag-pGaAsnGaAs-Ag-структуры прямоугольным световым импульсом от светодиода с λ= 0,95 мкм определены времена жизни неосновных носителей, квантовая эффективность для заданного напряжения. Расчетные данные показывают, что арсенидгаллиевые трехбарьерные фотодиодные структуры благодаря низким значениям емкости обладают высоким частотным диапазоном.

На підставі спаду фотонапруги при порушенні трьохбар’єрної фотодіодної nGaAs-Ag-структури прямокутним світловим імпульсом від світлодіода з λ= 0,95 мкм визначені часи життя неосновних носіїв, квантова ефективність для заданої напруги. Розрахункові дані показують, що арсенідгалієві трьохбар’єрної фотодіодної структури завдяки низьким значенням ємності володіють високим частотним діапазоном.

On the basis of photovoltage drop at excitation three-barrier photodiode Ag-pGaAs-nGaAs-Agstructure by a rectangular light impulse from the light diode with λ= 0,95 μm the minority carriers lifetimes, quantum efficiency for given voltage are determined. The design data demonstrate that gallium-arsenide three-barrier photodiode structures due to low values of capacity have high frequency band.