Влияние зарядности ионов на формирование профиля первичных повреждений в кристаллах, облучаемых ионами

Abstract

Описана модель образования первичных повреждений при облучении кристаллов ионами. Основой модели является предположение о том, что дефекты образуются в результате кулоновского расталкивания соседних атомов кристаллической решетки, ионизованных движущимися ионами. В модели учитывается изменение среднего заряда ионов по мере проникновения в образец и распределение ионов по зарядам на данной глубине. Представлены результаты расчетов.

Описана модель утворювання первинних пошкоджень при опроміненні кристалів іонами. Основою моделі є допущення, що дефекти виникають у разі кулонівського розштовхування сусідніх атомів кристалічної градки, іонізованих рухомими іонами. В моделі ураховується змінення середнього заряду іонів по мірі проникнення в зразок та розподіл іонів по набоям на даній глибині. Представлені результати розрахунків.

The model of primary defects formation under ion irradiation of crystals is described. The model is based on suggestion that defects are created as a result of Coulomb repulsion of neighbouring atoms at crystalline lattice ionized by bombarding ions. The changes of average charge of ions and the charge distribution of ions versus the depth of ion penetration to crystal are taken into account. The results of calculation are presented.